第六百七十七章 3D晶体管
“3D晶体管或许有人熟悉有人陌生，事实上，这早已不是什么新鲜的概念，最早的耗尽型贫沟道晶体管我们在1989年就见到过，之后基于DELTA技术的多闸极电晶体成为业内一个重要的研究方向。
像伴英特尔早在2002年就对外宣传他们的3D晶体管设计，大风集团也很早就开始大力投入3D晶体管的研发。
为什么这么多人盯着这个方向，说白了，就是因为当晶体管的尺寸缩小到25nm以下时，传统的屏幕尺寸却已经无法缩小，那么问题就会出现。
我们一起来看大屏幕。”
大屏幕上出现了几张技术分析图，“二维结构晶体管自上世纪60年代开始应用，到现在已使用接近半个时间，然而我们注意到，随着闸极长度越来越小，源极和汲极的距离越来越近，闸极下方的氧化物也越来越薄，从而加剧漏电的可能性。
同时，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度越小，闸极与通道之间的接触面积也越小，也就是闸极对通道的影响力变小了。
尤其是当闸极长度缩小到20纳米以下的时候，这些问题格外明显。
而当原本的源极和汲极拉高变成立体板状结构时，源极和汲极之间的通道变成了板状，闸极与通道之间的接触面积一下子就变大了。
这样一来即使闸极长度缩小到20纳米以下仍然能保留很大的接触面积，仍然可以控制电子是否能由源极流到汲极，可以说，多闸极晶体管的载子通道受到接触各平面的闸极控制，提供了一个更好的方法可以控制漏电流。
同时，由于多闸极晶体管有更高的本征增益和更低的沟道调制效应，在类比电路领域也能够提供更好的效能，从而减少耗电量并提升芯片效能。
我们的实验数据表明，32nm的立体晶体管可以比32nm平面晶体管带来最多40%的性能提升，且同等性能下的功耗减少一半。”
此时站在台上负责主讲的人，名叫杨培栋。
提到3D晶体管，尤其是提到FinFET，也就是鳍式场效晶体管，更多人的第一反应肯定是胡正铭，毕竟胡正铭一直都是以FinFET发明者的身份为人熟知的。
但事实上FinFET并不是胡正铭一个人发明的，而是一个团队发明的，而且其中有三个核心人物，胡正铭是一个，还有两个分别是金志杰和杨培栋。
为了搞3D晶体管孟谦还真去找过胡正铭，但或许是因为胡正铭从台积电走后依然是台积电的顾问，而大风集团前几年跟台积电关系又很僵的缘故，胡正铭并没有接受孟谦的邀请。
于是孟谦就又去找了杨培栋和金志杰，同时，大风半导体还有很多从其他地方挖来的顶尖人才，今天的成功也是团队的成果。
这个杨培栋也算是个神奇人物了，头顶“世界100位顶尖青年发明家”，“全球顶尖100名化学家”，“全球顶尖100名材料科学家”三大头衔。
而且一提到杨培栋就一定会有人联想到努力两字，所有跟杨培栋合作过的人都不会少了这一评价。
但孟谦跟杨培栋当年私下沟通时候特别投机的一点在于两人对这个问题的看法都是努力当然是正能量的事情，但很多时候像孟谦和杨培栋这种拼命的人就是单纯的真的很想去做一件事情，在外人看来就成了拼命，事实上，只是因为想做。
宣扬努力有两种方式，一种是贩卖焦虑，一种是贩卖热爱，孟谦更喜欢后者。
杨培栋跟胡正铭一样，在多个大学和企业任职，在大风半导体他现在也只是顾问的身份，并不常在公司，但这个项目确实他出了很大的力，最后还是决定由他来主讲。
除了他在业内的名气，还有杨培栋身上一种说不清的自信很适合主讲，正如现在，杨培栋在讲解完技术后语气平淡却让人感觉掷地有声的说道，“在公司团队的努力下，3D晶体管终于可以从实验室走向市场。
可以说这是晶体管历史上最伟大的里程碑式发明，甚至可以说是重新发明了晶体管，我们终于可以满怀希望的说，3D晶体管时代真的来了。
整个半导体行业将正式进入3D时代，摩尔定律的瓶颈由大风半导体打破。
半导体市场将迎来又一次充满活力的发展，我相信，至少在未来五年内，这都将是半导体行业最重要的一次技术突破。
我们应该为大风半导体感到开心，更应该为整个半导体行业感到高兴，因为大风半导体，给了这个行业新的希望。”
就是因为杨培栋不仅仅只是大风半导体的顾问，所以他站在行业的角度去评价反而显得不是那么违和，而这样的抬举让这一技术突破显得更有意义和价值，现场掌声雷动。
而此时英特尔的保罗看着直播身体都在发抖，因为这份荣誉，本该属于英特尔。
世界上第一个从实验室走出来可以市场化的3D晶体管Tri-Gate是英特尔在2011年5月6日发布的。
英特尔因此又一次巩固了自己在半导体行业的老大地位，然而这一切都没了，就算英特尔明天发布Tri-Gate，英特尔也只能是一个老二。
保罗一时间没有办法接受这个事实，甚至让情报部门出发去调查大风半导体是不是来偷技术了。
因为英特尔是2002年宣布这个技术方向的，但差不多90年代就开始在考虑这个技术方向了，那个时候大风集团都还没创立。
保罗这怎么都无法理解也无法相信大风半导体居然后来居上赶在了英特尔的前面把技术成熟化了，应该至少有5年的研发周期差距，理论上来说这不可能。
其实市场上很多人都有这个疑惑，而最后的结论又是因为大风集团早就确定了这个方向并且专注死磕。
当工艺还在90nm+的时代，哪怕是英特尔也没有完全确认未来的方向，因为技术都是有两面性的，搞3D晶体管也有问题。
就比如对模拟或设计人员来说这简直是要了老命了，因为对于采用传统工艺的设计人员来说不得不通过更少变量来实现所需的电气响应。
这一方面需要工具创新跟上，另一方面极大的提升了设计难度，在整个3D晶体管发展的过程中就一直有人怀疑这个方向是错的，所以继续使用二维晶体管，通过材料革新和二维结构革新也是一个主流方向。
这就像当初光刻机要不要搞浸没式一样，大家都不确定，大家都是一点点在试，但重生者就很确定了，没办法，英特尔还在犹豫还在彷徨的时候，孟谦已经确定了方向并孤注一掷，又挖到了核心人才，一切就这么发生了。
此时的英特尔非常低沉，本想着靠这一技术挽回英特尔在移动芯片市场的尴尬局面，通过工艺领先实现芯片性能领先从而抢占移动芯片市场。
然而英特尔在移动处理器领域做的是真废，可以说曾经的英特尔在这一工艺上足足领先了3年，而且英特尔当时都说了这一工艺推出的主要目的就是奔着移动处理器去的，还在三年内增加了接近50亿米元的投入，可愣就是没把移动处理器给做好。
而这一世就更不用说了，英特尔这个3年领先优势这会儿都没了，也不知道英特尔能不能想出什么办法来逆天改命。
不过不管英特尔接下去打算干嘛，市场这会儿可能没这么相信英特尔了，发布会后，市场反应是最真实，当天英国ARM股价直接跌了%，英特尔股价大跌%。
还有隔壁三星直接跌了%。
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像伴英特尔早在2002年就对外宣传他们的3D晶体管设计，大风集团也很早就开始大力投入3D晶体管的研发。
为什么这么多人盯着这个方向，说白了，就是因为当晶体管的尺寸缩小到25nm以下时，传统的屏幕尺寸却已经无法缩小，那么问题就会出现。
我们一起来看大屏幕。”
大屏幕上出现了几张技术分析图，“二维结构晶体管自上世纪60年代开始应用，到现在已使用接近半个时间，然而我们注意到，随着闸极长度越来越小，源极和汲极的距离越来越近，闸极下方的氧化物也越来越薄，从而加剧漏电的可能性。
同时，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度越小，闸极与通道之间的接触面积也越小，也就是闸极对通道的影响力变小了。
尤其是当闸极长度缩小到20纳米以下的时候，这些问题格外明显。
而当原本的源极和汲极拉高变成立体板状结构时，源极和汲极之间的通道变成了板状，闸极与通道之间的接触面积一下子就变大了。
这样一来即使闸极长度缩小到20纳米以下仍然能保留很大的接触面积，仍然可以控制电子是否能由源极流到汲极，可以说，多闸极晶体管的载子通道受到接触各平面的闸极控制，提供了一个更好的方法可以控制漏电流。
同时，由于多闸极晶体管有更高的本征增益和更低的沟道调制效应，在类比电路领域也能够提供更好的效能，从而减少耗电量并提升芯片效能。
我们的实验数据表明，32nm的立体晶体管可以比32nm平面晶体管带来最多40%的性能提升，且同等性能下的功耗减少一半。”
此时站在台上负责主讲的人，名叫杨培栋。
提到3D晶体管，尤其是提到FinFET，也就是鳍式场效晶体管，更多人的第一反应肯定是胡正铭，毕竟胡正铭一直都是以FinFET发明者的身份为人熟知的。
但事实上FinFET并不是胡正铭一个人发明的，而是一个团队发明的，而且其中有三个核心人物，胡正铭是一个，还有两个分别是金志杰和杨培栋。
为了搞3D晶体管孟谦还真去找过胡正铭，但或许是因为胡正铭从台积电走后依然是台积电的顾问，而大风集团前几年跟台积电关系又很僵的缘故，胡正铭并没有接受孟谦的邀请。
于是孟谦就又去找了杨培栋和金志杰，同时，大风半导体还有很多从其他地方挖来的顶尖人才，今天的成功也是团队的成果。
这个杨培栋也算是个神奇人物了，头顶“世界100位顶尖青年发明家”，“全球顶尖100名化学家”，“全球顶尖100名材料科学家”三大头衔。
而且一提到杨培栋就一定会有人联想到努力两字，所有跟杨培栋合作过的人都不会少了这一评价。
但孟谦跟杨培栋当年私下沟通时候特别投机的一点在于两人对这个问题的看法都是努力当然是正能量的事情，但很多时候像孟谦和杨培栋这种拼命的人就是单纯的真的很想去做一件事情，在外人看来就成了拼命，事实上，只是因为想做。
宣扬努力有两种方式，一种是贩卖焦虑，一种是贩卖热爱，孟谦更喜欢后者。
杨培栋跟胡正铭一样，在多个大学和企业任职，在大风半导体他现在也只是顾问的身份，并不常在公司，但这个项目确实他出了很大的力，最后还是决定由他来主讲。
除了他在业内的名气，还有杨培栋身上一种说不清的自信很适合主讲，正如现在，杨培栋在讲解完技术后语气平淡却让人感觉掷地有声的说道，“在公司团队的努力下，3D晶体管终于可以从实验室走向市场。
可以说这是晶体管历史上最伟大的里程碑式发明，甚至可以说是重新发明了晶体管，我们终于可以满怀希望的说，3D晶体管时代真的来了。
整个半导体行业将正式进入3D时代，摩尔定律的瓶颈由大风半导体打破。
半导体市场将迎来又一次充满活力的发展，我相信，至少在未来五年内，这都将是半导体行业最重要的一次技术突破。
我们应该为大风半导体感到开心，更应该为整个半导体行业感到高兴，因为大风半导体，给了这个行业新的希望。”
就是因为杨培栋不仅仅只是大风半导体的顾问，所以他站在行业的角度去评价反而显得不是那么违和，而这样的抬举让这一技术突破显得更有意义和价值，现场掌声雷动。
而此时英特尔的保罗看着直播身体都在发抖，因为这份荣誉，本该属于英特尔。
世界上第一个从实验室走出来可以市场化的3D晶体管Tri-Gate是英特尔在2011年5月6日发布的。
英特尔因此又一次巩固了自己在半导体行业的老大地位，然而这一切都没了，就算英特尔明天发布Tri-Gate，英特尔也只能是一个老二。
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因为英特尔是2002年宣布这个技术方向的，但差不多90年代就开始在考虑这个技术方向了，那个时候大风集团都还没创立。
保罗这怎么都无法理解也无法相信大风半导体居然后来居上赶在了英特尔的前面把技术成熟化了，应该至少有5年的研发周期差距，理论上来说这不可能。
其实市场上很多人都有这个疑惑，而最后的结论又是因为大风集团早就确定了这个方向并且专注死磕。
当工艺还在90nm+的时代，哪怕是英特尔也没有完全确认未来的方向，因为技术都是有两面性的，搞3D晶体管也有问题。
就比如对模拟或设计人员来说这简直是要了老命了，因为对于采用传统工艺的设计人员来说不得不通过更少变量来实现所需的电气响应。
这一方面需要工具创新跟上，另一方面极大的提升了设计难度，在整个3D晶体管发展的过程中就一直有人怀疑这个方向是错的，所以继续使用二维晶体管，通过材料革新和二维结构革新也是一个主流方向。
这就像当初光刻机要不要搞浸没式一样，大家都不确定，大家都是一点点在试，但重生者就很确定了，没办法，英特尔还在犹豫还在彷徨的时候，孟谦已经确定了方向并孤注一掷，又挖到了核心人才，一切就这么发生了。
此时的英特尔非常低沉，本想着靠这一技术挽回英特尔在移动芯片市场的尴尬局面，通过工艺领先实现芯片性能领先从而抢占移动芯片市场。
然而英特尔在移动处理器领域做的是真废，可以说曾经的英特尔在这一工艺上足足领先了3年，而且英特尔当时都说了这一工艺推出的主要目的就是奔着移动处理器去的，还在三年内增加了接近50亿米元的投入，可愣就是没把移动处理器给做好。
而这一世就更不用说了，英特尔这个3年领先优势这会儿都没了，也不知道英特尔能不能想出什么办法来逆天改命。
不过不管英特尔接下去打算干嘛，市场这会儿可能没这么相信英特尔了，发布会后，市场反应是最真实，当天英国ARM股价直接跌了%，英特尔股价大跌%。
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